三星電子開始向全球客戶交付12層HBM4E晶片樣品

三星電子表示，已開始向全球客戶交付12層HBM4E晶片的樣品，是全球首款第七代高頻寬記憶體。

三星指出，相較在今年2月量產的第六代高寬頻記憶體HBM4晶片，今次12層HBM4E晶片的速度提升兩成以上，容量提升三成以上，能源效率提升一成六。 晶片採用最新的1c DRAM製程技術，即第六代10納米級DRAM，並搭配三星4納米晶圓代工邏輯基底晶片。

至於南韓另一半導體巨頭SK海力士，有望很快推出HBM4E晶片。 公司原本預計下半年才推出該晶片的樣品，但由於研發工作順利，決定提前出貨時間表。